«Долгое отсутствие»: экс-главред Tatler снова в Москве — его заметили в ресторане
20.05.2026 23:12:05
Однажды кто-то сказал Джаянту Балиге, что у него, должно быть, самый маленький углеродный след среди всех людей на Земле — потому что изобретённый им транзистор позволяет миллиардам устройств потреблять значительно меньше энергии. Балига поправил: «Точнее сказать, что у меня самый большой отрицательный углеродный след в мире».
Разница принципиальная. Это не скромность и не хвастовство. Это инженерная точность в выборе слов — качество, которое пронизывает всю его карьеру.
Бантвал Джаянт Балига родился 28 апреля 1948 года в Мадрасе (ныне Ченнаи). Детство прошло в Джалахалли — небольшой деревне близ Бангалора. Его отец, Бантвал Витал Манджунат Балига, был одним из первых индийских электроинженеров ещё до обретения страной независимости и первым президентом индийского отделения Института радиоинженеров (впоследствии ставшего IEEE). Дома хранилась техническая библиотека, в том числе сборники трудов IEEE, которые Джаянт листал ещё в старшей школе.
«Отец был для меня огромным вдохновением», — вспоминал он. — «Но я хотел выйти из его тени и проложить собственный путь в мире».
Он окончил школу Bishop Cotton Boys' School в Бангалоре в 1963 году. В 1969 году получил степень бакалавра по электротехнике в Индийском технологическом институте в Мадрасе — одном из лучших технических университетов страны. Затем уехал в США.
В Ренсселеровском политехническом институте (Нью-Йорк) Балига получил степень магистра в 1971 году и доктора наук в 1974 году — обе по электротехнике. Именно здесь, открыв лекции Фейнмана по физике, он нашёл область, которая соединила его инженерные интересы с глубоким пониманием физических процессов.
«Одна из сильных сторон понимания физики — это возможность аналитически предсказать, как устройство будет себя вести ещё до его изготовления», — говорил он об этом впоследствии.
После защиты диссертации Балига поступил на работу в Исследовательский и опытно-конструкторский центр General Electric в Скенектади, штат Нью-Йорк. Там он проработал пятнадцать лет.
В начале 1980-х годов один из вице-президентов GE поставил перед командой разработчиков задачу: создать полупроводниковый переключатель лучше всего существующего. Балига взялся за работу и через месяц подготовил патентную заявку.
Изобретение объединило принципы двух разных полупроводниковых технологий. Биполярный транзистор умеет работать с высокими токами и напряжениями, но им трудно управлять. Полевой транзистор (MOSFET) легко управляется через затвор, но плохо справляется с высокими мощностями. Балига придумал, как объединить оба принципа в одном устройстве с тремя выводами: управляющим затвором на основе металл-оксид-полупроводник и биполярным каналом тока. Так был рождён IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor.
Устройство было немедленно запущено в производство. Это редкость в истории изобретений: обычно между патентом и массовым выпуском проходят годы.
IGBT — это силовой полупроводниковый переключатель. Небольшой чип, который управляет потоком электрической энергии: включает и выключает ток с высокой точностью и минимальными потерями при высоком напряжении.
Сегодня IGBT встроен практически во всё, что работает от электричества: бытовая техника (холодильники, стиральные машины, кондиционеры, индукционные плиты), электромобили, электрички и скоростные поезда, солнечные панели и ветряные генераторы, медицинские приборы (портативные дефибрилляторы, аппараты МРТ), промышленные электроприводы, системы передачи электроэнергии.
С момента изобретения IGBT сократил мировое потребление бензина более чем на 10%, а электроэнергии — на 40% в соответствующих применениях. Оценки суммарной экономии для потребителей к 2024 году достигают 36,5 триллиона долларов. Снижение выбросов CO? только за 1990–2020 годы — более 82 гигатонн. Это сопоставимо с тремя годами глобальных антропогенных выбросов.
«Служение человечеству было моей миссией», — говорит Балига.
В 1980-е и 1990-е годы японские производители — в первую очередь Toshiba и Mitsubishi — освоили промышленный выпуск IGBT и существенно усовершенствовали технологию. В японской технической литературе иногда появлялись утверждения о том, что IGBT «родился в Японии».
Балига реагирует на это чётко: «Это причиняет боль, потому что игнорирует реальную историю. Японцы сделали технологию успешной, построив продукты и масштабировав производство — я говорю это всегда. Но утверждать, что IGBT родился в Японии — это ложь». В 2016 году он был введён в Национальный зал изобретателей США как единственный изобретатель IGBT — что официально закрепило исторический приоритет.
В 1988 году Балига оставил GE и перешёл на факультет электротехники Государственного университета Северной Каролины (NC State), где основал Исследовательский центр силовых полупроводников (PSRC). С 1997 года — Distinguished University Professor, высшее академическое звание университета.
Под его руководством было создано несколько стартапов на основе его патентов. Он является автором или соавтором более 500 научных статей, 18 книг (в том числе фундаментального руководства «The IGBT Device», вышедшего в обновлённом издании в 2023 году) и обладателем более 120 патентов США.
В 2016 году был приглашён почётным гостем на 53-ю торжественную церемонию вручения дипломов в IIT Madras, где получил почётную степень доктора наук.
Среди ключевых наград и признаний: IR 100 Award (дважды — 1983, 1984); премия Dushman и Coolidge Award от GE (1983); выбор журнала Science Digest среди «100 самых ярких молодых учёных Америки» (1984); Премия IEEE Liebmann (1993); избрание в Национальную академию инженерии США (1993, в возрасте 45 лет); Премия IEEE Lamme Medal (1999); Национальная медаль за технологии и инновации, врученная президентом Обамой (2011); Медаль почёта IEEE (2014) — высшая награда IEEE; введение в Национальный зал изобретателей США как единственного изобретателя IGBT (2016); Глобальная энергетическая премия (2015, Россия); Орден искусств и наук (Франция, 2011); Millennium Technology Prize, Финляндия, €1 миллион (2024).
Джаянт Балига, изобретатель IGBT, лауреат Millennium Technology Prize. National Investors Hall of Fame
| Родился: | 28.04.1948 (78) |
| Место: | Мадрас (IN) |
